东莞市平尚电子科技有限公司

闪存技术难以匹敌的更高密度、性能和效率，这项技术重要的特点之一是其基础存储单元。英特尔和镁光选择使用的浮栅存储单元是业界广泛使用的一种设计。它基于多年来大批量制造的平面结构闪存设计改进而成，并在3D NAND技术中使用。

  而浮栅单元是提升性能、质量和可靠性的一个关键设计选择。全新的3D NAND技术可垂直堆叠 32 层闪存单元，能够在标准封装内实现 256Gb 多层单元 (MLC) 和 384Gb 三层单元 (TLC) 芯片。全新睡眠模式支持低功耗使用，允许切断不活跃NAND的芯片的电源(即使同一封装内其他芯片处于活跃状态也不受影响)，从而显著降低待机模式下的功耗。

  这些容量可使口香糖大小的固态盘提供超过 3.5 TB 的存储容量，同时使标准 2.5 英寸固态盘能够提供超过 10 TB 的存储容量。由于存储容量可通过垂直堆叠单元来实现，单个存储单元的尺寸可以变得非常大。这将有望提高产品的性能和耐用性，甚可以使 TLC 设计出色地满足数据中心存储的需求。